顶点 CG120无刷调速器评估报告

12-11-27 15:38| 发布者: admin| 查看: 26931| 评论: 0|原作者: Himalaya

电路设计
一，MOSFET
优点：▲
见下图，ESC内关键器件－－MOSFET采用了IR的最新DirectFET，型号：IRF6635，热阻远比传统SO-8封装MOSFET为小。选料到位，性能有保障。
▲ 全部MOSFET都位于PCB上表面，便于高效地通过散热器发散热量。

（有些品牌的MOSFET分布于PCB的上下两面，半数焊于下表面的MOSFET散热困难）
▲ MOSFET排布与GTB一致，借鉴成熟设计提升可靠性。

MOSFET用了好东西

缺点：▼ 指标不实：电流能力达不到120A，实际上跟GTB一样，是90A的产品。
下图摘自International Rectifier IRF6635的数据手册。

IRF6635 SPEC.JPG

此处共提到4个漏极电流：（测试条件：MOSFET焊接在1平方英寸的铜板上）

ID @ TA = 25°C
32A
环境温度25°C，持续

ID @ TA = 70°C
25A
环境温度70°C，持续

ID @ TC = 25°C
180A

MOSFET壳温25°C，持续

IDM
250A

短时脉冲，以内部管芯温度不超标为限。

可以想见，后面两种在实际工况下无法实现。因而取前面两种情况的参数，30A左右。

CG120A 与 Novak GTB一样，每一相上下臂各三管并联，总共使用（3+3）× 3 = 18 只MOSFET。电流能力为：30A×3 = 90A。

GTB采用另一种方式计算电流容量，取第三个参数：180A×3＝540A

改进意见：
●
Option 1) 增加一组（6只）MOSFET，继续标称120A。
Option 2) 改指标为90A，这是老实的保守做法。
Option 3) 改指标为540A，这是Novak的激进做法。

二，滤波电容复合包
优点：▲
复合电容包，集成了反向二极管、电解电容、陶瓷MLCC电容。
缺点：▼ 甩出一条尾巴，不便于安置。
▼ 英文用词： “Capacitance” 乃“容量”之意，写在此处不知所云。
改进意见：
●
如能改成类似 Mamba Max那样，电容直接做在底板PCB上，安置起来就方便太多了。
●
“Capacitance”改成“Capacitor”，或者干脆取消，保留TopToys的Logo即可。